机译:在Stranski-Krastanow模式下生长的InAs量子点的原子力显微镜观察中的尖端伪像
机译:通过原子力显微镜局部氧化纳米光刻技术在GaAs(001)图案化衬底上生长的InAs量子点的定点横向排列
机译:MBE生长的InAs量子点的局部表面带调制,通过原子力显微镜用导电尖端测量
机译:原子力显微镜和光致发光光谱在应变诱导和温度控制成核机制下表征自组织InAs / GaAs量子点
机译:单个半导体量子点和量子点聚集体的导电原子力显微镜研究。
机译:结合原子力显微镜和光致发光成像为量子光子器件选择单个InAs / GaAs量子点
机译:原子力显微镜观察Inas量子的尖端伪影 在stranski-Krastanow模式中生长的点
机译:利用原子层石墨烯对基于Inas量子点的垂直外腔表面发射激光器进行锁模。